NAND知识一：浮栅FG（Floating Gate）和电荷捕获CT（Charge Trap）的区别

目前NAND颗粒已从2D时代进化到3D时代，存储单元技术也从传统的浮栅FG（Floating Gate）进化到了电荷捕获CT（Charge Trap），这两种技术有很多相似之处，本文将简要描述他们的区别和联系。

FGCT存储材料导体绝缘材料电子可自由移动很难移动隧道氧化层敏感不敏感单元干扰较严重较弱编程电压较高较低读写方式相同擦除方式F-N隧道效应热注入空穴电荷存储区不共享共享数据保持较好较差(电子侧向移动)